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NTMS5P02R2G

更新時間:2025-07-04 10:33:59

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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-

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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NTMS5P02R2G外觀圖

NTMS5P02R2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS5P02R2G 概述

NTMS5P02R2G是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TSOP-6封裝，適用于需要高效能開關(guān)的應用場景。其低導通電阻和快速開關(guān)特性使其在電源管理電路中表現(xiàn)出色，特別適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電池保護電路等應用。在DC-DC轉(zhuǎn)換器中使用時，建議注意布局設計以最小化寄生電感，從而減少開關(guān)損耗并提高效率。對于負載開關(guān)應用，需確保柵極驅(qū)動電壓足夠高以完全開啟MOSFET，同時也要考慮熱管理措施，因為大電流通過時可能會產(chǎn)生較多熱量。在電池保護電路里，此款MOSFET能夠有效地控制充放電過程中的電流流動，保護電池免受過流損害。實際應用中應根據(jù)具體需求調(diào)整外圍元件參數(shù)，如柵極電阻值等，來優(yōu)化整體性能。

NTMS5P02R2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.95A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
33 毫歐 @ 5.4A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.25V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 16V
功率 - 最大
790mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMS5P02R2GOSNTMS5P02R2GOS-NDNTMS5P02R2GOSTR

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NTMS5P02R2G
NTMS10P02
NTMS10P02R2
NTMS10P02R2G
NTMS3P03
NTMS3P03R2G
NTMS4107NR2G
NE555

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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