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NTMS4939NR2G

更新時間:2025-05-20 08:54:14

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NTMS4939NR2G外觀圖

NTMS4939NR2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS4939NR2G 概述

NTMS4939NR2G是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適合表面貼裝應用。其低導通電阻特性有助于減少導通損耗，在低壓電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括負載開關、電源管理以及便攜式電子設備中的DC-DC轉換器。在電池供電設備中，它能有效提高能效比。由于柵極電荷較低，此款MOSFET可以實現(xiàn)快速開關操作，適用于高頻開關電源設計。使用時需注意，為確?？煽抗ぷ?，柵極驅動電壓應保持在規(guī)定范圍內(nèi)。建議在PCB布局時盡量縮短源極和漏極引腳走線長度，以降低寄生電感影響。在實際電路設計中，可將其用于同步整流電路，與P溝道MOSFET搭配使用，優(yōu)化電源轉換效率。

NTMS4939NR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.4 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2000pF @ 25V
功率 - 最大
800mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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