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NTMFS4H01NFT1G

更新時間:2025-05-16 19:19:24

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NTMFS4H01NFT1G 概述

NTMFS4H01NFT1G是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，適用于需要高效功率轉換和管理的應用場景。其典型應用包括電池供電設備、負載開關、直流-直流轉換器等。該MOSFET具有低導通電阻特性，在4.5V柵源電壓下典型值僅為26mΩ，有助于減少傳導損耗并提高整體效率。同時，它能夠在高達100V的漏源電壓條件下工作，確保在高壓應用場景中的可靠性和穩(wěn)定性。對于電路設計者來說，在使用時應注意保持柵極驅動電壓足夠高以充分開啟MOSFET，并合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能。在構建直流-直流轉換器時，可將其作為同步整流管使用，以提升轉換效率。

NTMFS4H01NFT1G 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
54A（Ta），334A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
0.7 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5538 pF @ 12 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），125W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
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封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

黃金展位供應商

電話：18100277303
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