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NTMFS4C05NT1G

更新時間:2025-07-05 02:48:56

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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1比1質量完美通用/包上機可供更多

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NTMFS4C05NT1G 概述

NTMFS4C05NT1G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，適用于需要高效率和快速開關的應用場景。這款MOSFET具有低導通電阻特性，在4.5V柵極驅動下典型值為30mΩ，有助于減少功率損耗。其主要應用包括直流-直流轉換器、負載開關、電源管理以及便攜式設備中的電池保護電路等。在實際應用中，推薦使用合適的柵極驅動電阻來控制開關速度，避免過高的dv/dt引起EMI問題。同時注意PCB布局設計以優(yōu)化熱性能，確保良好的散熱路徑，提高整體可靠性。

NTMFS4C05NT1G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11.9A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.4 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
14 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1972 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
770mW（Ta），33W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
8-PowerTDFN，5 引線

視頻廣告作為自主零售終端的“能量心臟”，HVP6-24S12始終穩(wěn)供不宕機！

廣東微爾科技有限公司

NTMFS4C05NT1G相關型號

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NTMFS4C05NT1G
NTMF4835N
NTMFD4901NFT1G
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NTMFD4C20NT1G
NTMFD4C85NT1G
NTMFS4108NT1G
NJW0281G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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