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NTMFS4C03NT1G

更新時間:2025-05-25 01:48:21

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NTMFS4C03NT1G 概述

NTMFS4C03NT1G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值為20mΩ，這有助于降低導通損耗，提升效率。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)為-30V，適用于需要耐高壓的應用場景。其快速開關性能使其適合于電源管理應用，如DC - DC轉換器、負載開關以及電池供電設備中的電路保護等。在實際應用中，需注意保證柵極驅動電壓足夠以確保MOSFET充分導通，同時要合理設計散熱以避免過熱損壞。在電路設計時，可根據具體需求選擇合適的柵極電阻來控制開關速度，并搭配適當的續(xù)流二極管用于感性負載電路。

NTMFS4C03NT1G 規(guī)格參數

現有數量
2,778現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Ta），136A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
2.1 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
45.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3071 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），64W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
8-PowerTDFN，5 引線

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