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NTMFS4C027NT1G

更新時間:2025-05-29 12:29:43

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NTMFS4C027NT1G 概述

NTMFS4C027NT1G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓（VDS）為30V，連續(xù)漏極電流（ID）在室溫下可達100A。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關、電機驅動以及電源管理電路中。由于其緊湊的封裝形式（DFN5x6），特別適合空間受限的設計需求。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保最佳性能，并且合理設計散熱系統以維持穩(wěn)定工作溫度。

NTMFS4C027NT1G 規(guī)格參數

現有數量
1,496現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
16.4A（Ta），52A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.8 毫歐 @ 18A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
18.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1670 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.51W（Ta），25.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

NTMFS4C027NT1G推薦型號

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NTMFD4901NFT1G
NTMFD4902NFT1G
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NTMFD4C85NT1G
NTMFS4108NT1G
NTMFS4119NT1G
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