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NTMFS4921NT1G

更新時間:2025-07-04 10:33:57

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)
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深圳市品誠電子新材料有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)

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進品原裝，現(xiàn)貨庫存可開17%增值票

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市金科創(chuàng)世紀(jì)電子有限公司
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深圳市錦泰世紀(jì)電子有限公司
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深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市華鴻芯科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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NTMFS4921NT1G外觀圖

NTMFS4921NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4921NT1G 概述

NTMFS4921NT1G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小型的SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。該器件最大漏源電壓為30V，適用于多種低壓應(yīng)用場合。在電路中，NTMFS4921NT1G常用于負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池保護電路等場景。其優(yōu)秀的熱性能和低柵極電荷使得它在便攜式設(shè)備中表現(xiàn)優(yōu)異。例如，在USB電源管理電路中，可作為理想的電源開關(guān)元件。使用時應(yīng)注意控制柵極驅(qū)動電壓，確保其處于規(guī)定范圍內(nèi)以獲得最佳性能。設(shè)計PCB布局時，應(yīng)盡量縮短源極到地的走線長度，減少寄生電感影響。

NTMFS4921NT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.95 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 12V
功率 - 最大
870mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMFS4921NT1G-NDNTMFS4921NT1GOSTR

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NE555D

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