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NTMFS4821NT1G

更新時間:2025-07-03 17:05:15

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道增值稅票

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杭州丹駿電子科技有限公司
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深圳市鎧翰智能工控有限公司
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深圳市銘科微電子有限公司
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艾潤香港電子有限公司
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深圳市鵬翔新科技有限公司
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NTMFS4821NT1G外觀圖

NTMFS4821NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4821NT1G 概述

NTMFS4821NT1G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在4.5V柵極驅(qū)動下典型值為26mΩ。其最大漏源電壓額定值為20V，連續(xù)漏極電流可達3.8A。此MOSFET適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景，如便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)、電池充電管理以及DC - DC轉(zhuǎn)換器等。在便攜式設(shè)備中，它的低功耗有助于延長電池使用時間；在DC - DC轉(zhuǎn)換器中，能有效減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。使用時應(yīng)注意避免超過最大額定參數(shù)，并根據(jù)具體應(yīng)用合理設(shè)計驅(qū)動電路以確保最佳性能。

NTMFS4821NT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.95 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 12V
功率 - 最大
870mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMFS4821NT1G-NDNTMFS4821NT1GOSTR

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NCP1117ST33T3G

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