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NTMFS4708NT1G

更新時間:2025-06-12 06:42:08

供應(yīng)商
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市鎧翰智能工控有限公司
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深圳市銘科微電子有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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NTMFS4708NT1G外觀圖

NTMFS4708NT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8 FL

封裝:8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）

NTMFS4708NT1G 概述

NTMFS4708NT1G是由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用超小型SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率特性。其典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)、電源管理以及便攜式設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。在電池供電的便攜式設(shè)備中，NTMFS4708NT1G憑借其低柵極電荷和快速開關(guān)速度，有助于提高整體系統(tǒng)效率并延長電池續(xù)航時間。它可在高達(dá)40V的漏源電壓下工作，最大連續(xù)漏極電流可達(dá)3.8A。對于需要緊湊設(shè)計的應(yīng)用，這款MOSFET是一個理想選擇。在實(shí)際應(yīng)用中，使用時應(yīng)注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以保證完全開啟狀態(tài)，通常推薦使用至少10V的柵極電壓。此外，在高頻開關(guān)應(yīng)用中，應(yīng)優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感影響，避免引起電壓尖峰。電路設(shè)計時可參考廠商提供的典型應(yīng)用電路，如簡單的低壓降線性穩(wěn)壓器或同步整流電路。

NTMFS4708NT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 11.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
970pF @ 24V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）
包裝
帶卷 (TR)

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