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NTMFD4C20NT1G

更新時間:2025-05-24 04:53:06

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

藍界科技（深圳）有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報價

深圳市正納電子有限公司
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現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務(wù)型企業(yè)

深圳市芊誠科技電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市品優(yōu)時代科技有限公司
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深圳市金嘉銳電子有限公司
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30000
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深圳市金科創(chuàng)世紀(jì)電子有限公司
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10000
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8DFN5x6/-
原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務(wù)

深圳市智其偉業(yè)電子有限公司
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TSSOP/23+
只有原裝，提供一站配套服務(wù)

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NTMFD4C20NT1G 概述

NTMFD4C20NT1G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時典型值僅為20mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。該器件的最大漏源電壓(VDS)可達-20V，連續(xù)漏極電流(ID)在25℃時為-3.6A。此款MOSFET適用于開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)和電池管理等應(yīng)用場合。例如，在便攜式設(shè)備中作為高效開關(guān)使用，可以提高系統(tǒng)能效。設(shè)計電路時應(yīng)注意其最大工作電壓與電流不能超過額定值，并確保適當(dāng)?shù)纳岽胧┮跃S持穩(wěn)定工作溫度。根據(jù)具體應(yīng)用場景選擇合適的驅(qū)動電壓來保證最佳性能表現(xiàn)。

NTMFD4C20NT1G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
3現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
最后售賣
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
配置
2 N-通道（雙）
FET 功能
-
漏源電壓（Vdss）
30V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
9.1A，13.7A
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
7.3 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
9.3nC @ 4.5V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
970pF @ 15V
功率 - 最大值
1.09W，1.15W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

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NTMFD4901NFT1G
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NTMFD4C85NT1G
NTMFS4108NT1G
NTMFS4119NT1G
NSR0320MW2T1G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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