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NTMD5838NLR2G

更新時間:2025-05-16 03:01:59

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市金燦利電子科技有限公司
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128000
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深圳市創(chuàng)晶瑞電子科技有限公司
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深圳市東港盛電子技術(shù)有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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深圳市馳源科技有限公司
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深圳市威爾健半導體有限公司
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深圳市顥天電子有限公司
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深圳市銘科微電子有限公司
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35500
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艾潤（香港）電子有限公司
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NTMD5838NLR2G外觀圖

NTMD5838NLR2G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMD5838NLR2G 概述

NTMD5838NLR2G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的TSOP-6封裝，具有低導通電阻和高效率的特點，適用于便攜式設(shè)備和空間受限的應(yīng)用環(huán)境。其最大漏源電壓（Vds）為-20V，連續(xù)漏極電流（Id）可達-4.5A，使其在電池供電系統(tǒng)、負載開關(guān)及電源管理電路中表現(xiàn)出色。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，NTMD5838NLR2G廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦等消費電子產(chǎn)品中作為高效能功率控制元件。使用時需注意防止靜電損壞，并確保驅(qū)動電壓滿足閾值要求以保證正常開啟和關(guān)閉狀態(tài)。

NTMD5838NLR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
25 毫歐 @ 7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
785pF @ 20V
功率 - 最大
2.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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