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NTLJS2103PTBG

更新時間:2025-05-16 19:46:06

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NTLJS2103PTBG外觀圖

NTLJS2103PTBG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJS2103PTBG 概述

NTLJS2103PTBG是一款由安森美半導體生產(chǎn)的P溝道功率MOSFET。該器件采用TOLL（TO-LL）封裝，具有極低的導通電阻，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為-40V，在柵極驅(qū)動電壓為-4.5V時，典型導通電阻僅為1.8mΩ，這有助于減少傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此款MOSFET廣泛應用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機控制以及負載切換等需要高效率和緊湊設計的場合。在電池管理系統(tǒng)中，它能夠有效降低功耗，延長設備運行時間。使用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電路以確保最佳性能，并采取適當?shù)纳岽胧﹣砭S持工作溫度范圍。由于其封裝尺寸較小且電氣性能優(yōu)越，特別適合空間受限但又要求高性能的應用環(huán)境。

NTLJS2103PTBG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1157pF @ 6V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTLJS2103PTBG-NDNTLJS2103PTBGOSTR

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