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NTLJS2103PTAG

更新時(shí)間:2025-06-06 16:31:33

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
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說明
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深圳市萬芯時(shí)代貿(mào)易有限公司
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回收此型號(hào)NTLJS2103PTAG

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NTLJS2103PTAG外觀圖

NTLJS2103PTAG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJS2103PTAG 概述

NTLJS2103PTAG是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。該器件采用無引腳DFN封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在4.5V柵極電壓下典型值為20mΩ，有助于降低功耗。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，適合用于便攜式設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)電路以及電源管理應(yīng)用。由于具備快速開關(guān)性能和緊湊的封裝尺寸，它在空間受限的設(shè)計(jì)中非常有用。此外，NTLJS2103PTAG還具有良好的熱性能，能夠確保在高密度集成環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。在實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)注意保證散熱條件良好，并按照推薦電路布局以避免寄生電感影響開關(guān)性能。

NTLJS2103PTAG 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 3A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1157pF @ 6V
功率 - 最大
700mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)

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