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NTJS3151PT1G

更新時間:2025-07-03 14:28:51

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NTJS3151PT1G外觀圖

NTJS3151PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJS3151PT1G 概述

NTJS3151PT1G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用超小型SOT-23封裝，適用于空間受限的應(yīng)用場景。其最大漏源電壓(VDS)為-12V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C下為-2.4A。該MOSFET的柵極閾值電壓較低，具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))特性，這有助于降低開關(guān)損耗并提高效率。 NTJS3151PT1G廣泛應(yīng)用于負載開關(guān)、電源管理以及便攜式設(shè)備中的DC - DC轉(zhuǎn)換器等場景。例如，在手機或平板電腦中，它可以用作電池供電電路中的負載開關(guān)來控制不同功能模塊的電源通斷。使用時應(yīng)注意正確選擇柵極驅(qū)動電壓以確?？煽繉?dǎo)通，并且要關(guān)注器件的最大功率耗散能力以免因過熱而損壞。

NTJS3151PT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 3.3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
400mV @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 12V
功率 - 最大
625mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTJS3151PT1GOSTR

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NTJS3151PT1G推薦型號

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NTJS3151PT1G
NTJS3151P
NTJS3151PT2G
NTJS3157NT1G
NTJS3157PT1G
NTJS4151P
NTJS4151PT
NE555

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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