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NTJD4158CT1G

更新時間:2025-05-29 18:57:57

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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NTJD4158CT1G外觀圖

NTJD4158CT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET N/P-CHAN COMPL SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD4158CT1G 概述

NTJD4158CT1G是一款由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的P溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于便攜式設備中的負載開關、電源管理以及其他需要高效功率控制的應用場景。其最大漏極-源極電壓為-20V，連續(xù)漏極電流可達-3.6A（在特定條件下）。由于其緊湊的封裝尺寸和優(yōu)異的電氣性能，非常適合用于空間受限的設計中，如智能手機和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品。在實際應用中，需注意確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)完全開啟，同時在電路設計時應考慮適當?shù)纳岽胧┮员ＷC器件可靠工作。

NTJD4158CT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V，20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
250mA，880mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 10mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.5nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
33pF @ 5V
功率 - 最大
270mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTJD4158CT1G-NDNTJD4158CT1GOSTR

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