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NTJD4152PT1G

更新時間:2025-06-12 14:07:44

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NTJD4152PT1G外觀圖

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET 2P-CH 20V 880MA SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD4152PT1G 概述

NTJD4152PT1G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。它采用超小型SOT-23封裝，適合在空間受限的應(yīng)用中使用。該MOSFET的最大漏源電壓為-20V，適用于低功率直流到直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)和電池管理等電路中。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少能量損耗，提高電源效率。由于柵極電荷較低，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)操作，這在高頻應(yīng)用中非常有利。在便攜式設(shè)備如手機和平板電腦的電源管理部分經(jīng)常能看到它的身影。使用時應(yīng)注意不要超過最大額定值，并且合理布局以確保散熱效果。

NTJD4152PT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
880mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
260 毫歐 @ 880mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
450mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
155pF @ 20V
功率 - 最大
272mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTJD4152PT1GOSTR

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NDS331N

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