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NTJD4001NT1G

更新時間:2025-07-04 10:33:55

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市宏創(chuàng)興泰電子有限公司
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有上有貨原裝現(xiàn)貨可看貨，提供配單服務(wù)

深圳市芯福林電子科技有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市凱鑫躍電子有限公司
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現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查

深圳市偉科芯電子科技有限公司
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NTJD4001NT1G外觀圖

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 250MA SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NTJD4001NT1G 概述

NTJD4001NT1G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET，采用SOT-23封裝。該MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電池供電設(shè)備中的負載開關(guān)、電源管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，連續(xù)漏極電流(ID)在室溫下可達-3.6A，柵源電壓(VGS)范圍為-8V至+8V。由于其小尺寸封裝和良好的電氣性能，非常適合于空間受限的便攜式電子設(shè)備中使用。在實際應(yīng)用中，需注意確保VGS不超過最大額定值以避免損壞器件，在PCB布局時盡量縮短源極與漏極走線長度減少寄生電感影響。

NTJD4001NT1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
250mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 10mA，4V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
1.3nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
33pF @ 5V
功率 - 最大
272mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTJD4001NT1GOSNTJD4001NT1GOS-NDNTJD4001NT1GOSTR

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NUP4201MR6T1G

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