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NTHS4101PT1G

更新時間:2025-06-11 17:53:24

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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NTHS4101PT1G外觀圖

NTHS4101PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET

封裝:8-SMD，扁平引線

NTHS4101PT1G 概述

NTHS4101PT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET適用于各種電源管理應用，如負載開關、電池保護電路以及DC-DC轉換器等。在便攜式設備中表現(xiàn)尤為出色，例如智能手機和平板電腦中的電源管理模塊。其小尺寸封裝有助于節(jié)省寶貴的PCB空間。使用時應注意遵循推薦的柵極驅動電壓范圍以確保可靠開啟和關閉MOSFET，在設計電路時應考慮適當?shù)纳岽胧┮跃S持器件的性能穩(wěn)定。

NTHS4101PT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
34 毫歐 @ 4.8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2100pF @ 16V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
ChipFET?
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTHS4101PT1GOSNTHS4101PT1GOS-NDNTHS4101PT1GOSTR

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NTHS0603N04N3303JE
NTHS0603N11N3002JE
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