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NTGS4111PT1G

更新時間:2025-07-03 12:30:21

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NTGS4111PT1G外觀圖

NTGS4111PT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP

封裝:SC-74，SOT-457

NTGS4111PT1G 概述

NTGS4111PT1G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。該MOSFET的柵源電壓范圍為-20V至+8V，適用于多種低壓應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括負載開關(guān)、電池管理電路以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等。在電池供電設(shè)備中，它可以有效降低功耗，延長電池壽命。設(shè)計時應(yīng)注意其最大漏極電流限制，并確保工作溫度范圍在規(guī)定值內(nèi)以保證可靠性。在實際電路設(shè)計中，通常與驅(qū)動電路配合使用以實現(xiàn)最佳性能。如果需要更詳細的技術(shù)參數(shù)，請參考官方數(shù)據(jù)手冊。

NTGS4111PT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 15V
功率 - 最大
630mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-74，SOT-457
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-TSOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTGS4111PT1GOSTR

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