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NTD80N02T4G

更新時間:2025-07-03 10:44:53

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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房間現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。

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優(yōu)勢產品原裝現(xiàn)貨

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原裝庫存，提供優(yōu)質服務

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原裝認證有意請來電或QQ洽談

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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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TO252/22+
官網可查icscjh.com

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NTD80N02T4G 概述

NTD80N02T4G是由onsemi（安森美半導體）生產的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.017歐姆，這有助于減少導通損耗，提升能效。此款MOSFET適用于多種功率轉換應用，如直流 - 直流轉換器、電源管理模塊以及電機驅動電路等。在實際應用中，由于其較高的最大漏極電流能力（高達80A），可滿足大功率設備的需求。使用時應注意合理布局PCB以確保良好的散熱性能，例如增大焊盤面積或添加散熱過孔。對于驅動電路設計，建議選擇合適的柵極驅動電阻來控制開關速度，避免過高dv/dt引發(fā)的誤動作或電磁干擾問題。

NTD80N02T4G 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
24 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
80 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.005 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Reel
下降時間
40 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
20 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
75 W
上升時間
67 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
28 ns

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NTD85N02
NRF24L01

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