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NTD80N02T4

更新時間:2025-07-03 20:57:19

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NTD80N02T4外觀圖

NTD80N02T4

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD80N02T4 概述

NTD80N02T4是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓(VDS)為20V，在室溫下連續(xù)漏極電流(ID)可達80A，適用于高效直流-直流轉換器、負載開關、電池充電電路等應用。在筆記本電腦、服務器電源管理和便攜式設備中，NTD80N02T4常被用作功率控制元件。由于其卓越的熱性能和電氣特性，能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提高效率。設計時應注意柵極驅動電壓的選擇，建議使用10V柵極電壓以確保最佳導通電阻。在PCB布局方面，應盡量減小源極電感，優(yōu)化散熱設計以提升整體性能。

NTD80N02T4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
24V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.8 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
42nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2600pF @ 20V
功率 - 最大
75W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD80N02T4OSTR

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