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NTD4810N-1G

更新時間:2025-07-04 07:43:49

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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深圳聞舟科技有限公司
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30000
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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原裝現(xiàn)貨，長期供應

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ON/安森美
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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亞太地區(qū)一級代理，二十年BOM配單專家，原裝現(xiàn)貨

深圳市馳源科技有限公司
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NTD4810N-1G外觀圖

NTD4810N-1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

NTD4810N-1G 概述

NTD4810N-1G是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為100V，在柵極驅動電壓為10V時，典型導通電阻僅為0.2歐姆左右。由于其良好的熱穩(wěn)定性和快速的開關速度，廣泛應用于電源管理、電機控制及DC-DC轉換器中。在實際使用時，需注意柵極串聯(lián)小電阻以抑制振蕩，并確保散熱良好。對于高可靠性要求的應用場景，應仔細評估其工作溫度范圍和功率耗散能力。

NTD4810N-1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
11nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1350pF @ 12V
功率 - 最大
1.28W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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