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NTD24N06LT4

更新時間:2025-07-08 17:29:44

供應(yīng)商
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NTD24N06LT4 概述

NTD24N06LT4是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.027歐姆。該MOSFET適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如電源管理電路、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場景。在直流 - 直流轉(zhuǎn)換器中可用于提高效率；在電機驅(qū)動應(yīng)用里能可靠地控制電機運轉(zhuǎn)；作為負載開關(guān)可實現(xiàn)快速切換且降低功耗。使用時需注意其最大漏源電壓為60V，連續(xù)漏極電流可達24A，要確保電路工作條件在其額定范圍內(nèi)以保證器件穩(wěn)定可靠運行。

NTD24N06LT4 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
60 V
閘/源擊穿電壓
+/- 15 V
漏極連續(xù)電流
24 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.036 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Reel
下降時間
52 ns
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
19 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
62.5 W
上升時間
97 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關(guān)閉延遲時間
23 ns

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NTD24N06LT4
NTD24N06LT4G
NTD20N03
NTD20N03HL
NTD20N03L
NTD20N03L27
NTD20N03L27G
NUP4201MR6T1G

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