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NTD20N03L27-1G

更新時間:2025-05-16 22:01:50

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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報價

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號NTD20N03L27-1G

深圳市金燦利電子科技有限公司
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NTD20N03L27-1G外觀圖

NTD20N03L27-1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

NTD20N03L27-1G 概述

NTD20N03L27-1G是由onsemi（安森美半導體）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為27mΩ。該MOSFET適用于多種應用場合，如直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)等電源管理電路中。在需要高效功率轉(zhuǎn)換和低損耗的設備里表現(xiàn)良好，例如筆記本電腦、平板電視等消費類電子產(chǎn)品。使用時應注意其最大漏極電流不能超過20A，并且要確保工作溫度范圍在規(guī)定值內(nèi)以保證穩(wěn)定運行。對于電源轉(zhuǎn)換電路設計，可將其作為開關(guān)管使用，搭配合適的驅(qū)動電路來實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。

NTD20N03L27-1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫歐 @ 10A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18.9nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1260pF @ 25V
功率 - 最大
1.75W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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NE555

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