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NTD18N06LT4

更新時間:2025-06-24 21:03:09

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NTD18N06LT4外觀圖

NTD18N06LT4

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD18N06LT4 概述

NTD18N06LT4是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極-源極電壓為60V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達18A。典型應用包括直流電機驅動、負載開關以及電源管理電路中。在電機驅動應用中，NTD18N06LT4可作為H橋或半H橋電路的關鍵組件，用于控制電機的正反轉及調速。作為負載開關時，它能高效地接通或斷開較大負載電流。在進行PCB布局時，應盡量縮短源極引腳到地的走線長度以減小寄生電感，提高開關性能。設計時還需注意散熱處理，確保結溫在安全范圍內。

NTD18N06LT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫歐 @ 9A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
675pF @ 25V
功率 - 最大
55W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
DPAK-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD18N06LT4OS

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