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NTD12N10T4G

更新時間:2025-06-13 03:01:03

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

深圳市譽輝天成電子有限公司
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-/24+
優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務

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高品質優(yōu)選好芯

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房間現(xiàn)貨，價格優(yōu)勢。

深圳市正納電子有限公司
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ON(安森美)
-/-
現(xiàn)貨十年以上分銷商，原裝進口件，服務型企業(yè)

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝正品,配單能手

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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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TO252DPAK/2025+
原裝現(xiàn)貨

深圳市安富世紀電子有限公司
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現(xiàn)貨供應，當天可交貨免費送樣，原廠技術支持

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NTD12N10T4G 概述

NTD12N10T4G是安森美半導體(onsemi)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.13Ω。該MOSFET適用于多種電源管理應用，如直流 - 直流轉換器、電機驅動等。在直流 - 直流轉換器中，它可以高效地控制電能的傳輸，減少能量損耗。在電機驅動電路里，能夠快速響應并可靠地切換電機繞組電流。使用時應注意遵循正確的柵極驅動電壓范圍，避免超過其最大額定值以防止器件損壞，同時要保證良好的散熱設計，確保其工作溫度處于安全范圍內。

NTD12N10T4G 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
12 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.165 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Reel
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
7 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
56.6 W
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關閉延遲時間
22 ns

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