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NTD12N10

更新時間:2025-06-14 06:10:06

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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TO252/DPAK/11+
原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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ISC/無錫固電
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國產品牌isc，替代進口

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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，配單能手

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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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深圳市賽思爾科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，長期供應

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原裝現(xiàn)貨

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原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

深圳市科芯源微電子有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

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官網可查icscjh.com

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優(yōu)勢產品原裝現(xiàn)貨

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只做原裝，可提供技術支持及配單服務

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深圳市科翼源電子有限公司
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深圳市顥天電子有限公司
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特價原裝現(xiàn)貨，一站配齊

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NTD12N10 概述

NTD12N10是ON Semiconductor生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、電池充電器、負載開關以及電機驅動等需要高效能功率控制的場合。在電路設計中，需注意其最大漏極電流為12A，最大漏源電壓為100V。使用時要確保柵極驅動電壓足夠以保證器件完全導通，并且要合理布局PCB以優(yōu)化散熱性能。對于高頻率開關應用，應選擇合適的柵極電阻來控制開關速度，減少電磁干擾。在實際應用中，建議仔細閱讀數(shù)據(jù)手冊中的電氣特性部分，以確保正確使用。

NTD12N10 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
12 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.165 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Tube
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
7 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
56.6 W
工廠包裝數(shù)量
75
典型關閉延遲時間
22 ns

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NTD110N02R-001
NJW0302G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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