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NTB90N02G

更新時間:2025-05-16 16:31:43

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NTB90N02G外觀圖

NTB90N02G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB90N02G 概述

NTB90N02G是由ON Semiconductor（安森美半導體）生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏極-源極電壓為20V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達90A。此款MOSFET廣泛應用于電源管理、電機驅動以及DC-DC轉換器等場景。在電池供電設備中，它能夠提高效率并減少功耗。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，也適合用于筆記本電腦、電信設備的電源模塊設計。使用時應注意正確選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計合理以維持長期穩(wěn)定工作。在電路設計時可參考典型降壓轉換器拓撲結構，將該MOSFET作為同步整流管使用，以提升整體轉換效率。

NTB90N02G 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
24V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
90A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5.8 毫歐 @ 90A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2120pF @ 20V
功率 - 最大
85W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件

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