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NSV1C200LT1G

更新時間:2025-05-28 07:13:48

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NSV1C200LT1G 概述

NSV1C200LT1G是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款低電壓N溝道MOSFET。該元件采用SOT-23封裝，具有超低的導通電阻，適用于電池供電設備和便攜式電子產品中。其最大漏極-源極電壓為20V，典型應用包括負載開關、電源管理電路以及DC-DC轉換器。在實際應用中，NSV1C200LT1G常用于需要高效能功率控制的場景，如智能手機和平板電腦中的電源管理單元。由于其低導通電阻特性，可以有效降低功耗，延長電池使用時間。設計時需注意柵極驅動電壓的選擇，確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)。在電路布局上，盡量縮短源極與地之間的走線長度，以減少寄生電感對電路性能的影響。

NSV1C200LT1G 規(guī)格參數

現有數量
3,000現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
2 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
100 V
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）
250mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 500mA，2V
功率 - 最大值
490 mW
頻率 - 躍遷
120MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）

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