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NST45011MW6T1G

更新時間:2025-07-13 04:16:26

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

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原廠直銷，提供技術(shù)支持

深圳市米數(shù)科技有限公司
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只做原裝，價格市場

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NST45011MW6T1G外觀圖

NST45011MW6T1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 陣列

TRANSISTOR NPN .1A 45V SOT-363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NST45011MW6T1G 概述

NST45011MW6T1G是安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用超小型的SOT-23-6封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效的電源管理應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達3.8A，非常適合于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)及電池供電設(shè)備中。在便攜式電子設(shè)備如智能手機和平板電腦中，它能夠幫助延長電池壽命并減少熱量產(chǎn)生。設(shè)計時應(yīng)注意合理布局以優(yōu)化散熱效果，并遵循推薦的柵極驅(qū)動電路設(shè)計來確保可靠性和性能。對于需要高效功率控制的應(yīng)用場景，這款MOSFET是一個理想的選擇。

NST45011MW6T1G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列
系列
-
晶體管類型
2 NPN（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
45V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
600mV @ 5mA，100mA
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
200 @ 2mA，5V
功率 - 最大
380mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-363
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NST45011MW6T1GOSTR

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