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NSS60200LT1G

更新時間:2025-07-10 12:53:21

供應(yīng)商
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您是不是要找：NSS507-212F-GAAG1T NSS40601CF8T1G NSS40600CF8T1G NSS40501UW3T2G NSS40500UW3T2G NSS40301MZ4T3G NSS40301MZ4T1G NSS40301MDR2G NSS40300MZ4T3G NSS40300MZ4T1G NSS60201LT1G

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NSS60200LT1G外觀圖

NSS60200LT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PNP 60V 4A SOT-23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

NSS60200LT1G 概述

NSS60200LT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用小巧的SOT-23封裝，具有低導通電阻特性，在低壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該MOSFET的最大漏源電壓為20V，適合于電池供電設(shè)備、負載開關(guān)和DC - DC轉(zhuǎn)換器等場景。在便攜式電子設(shè)備中，如智能手機和平板電腦，可用于高效地管理電源通斷和分配。在使用時，要注意驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，減少導通損耗。在電路設(shè)計中，可將其作為開關(guān)管串聯(lián)在負載電路中，搭配合適的柵極驅(qū)動電阻來控制開關(guān)速度。

NSS60200LT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
2A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
220mV @ 200mA，2A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
150 @ 500mA，2V
功率 - 最大
460mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NSS60200LT1GOSTR

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