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NJVMJB41CT4G

更新時間:2025-05-29 10:51:42

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NJVMJB41CT4G外觀圖

NJVMJB41CT4G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN BIP 6A 100V D2PAK-3

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NJVMJB41CT4G 概述

NJVMJB41CT4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用TYP4封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。基礎描述方面，它具備40V的漏源電壓額定值，連續(xù)漏極電流可達5.8A，在柵極驅動電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為36mΩ。其內部集成齊納二極管提供靜電保護功能，提高了使用的可靠性。典型應用場景包括直流-直流轉換器、負載開關電路以及各種需要高效功率管理的便攜式設備中。設計人員應注意在布局布線時盡量減小寄生電感影響，并確保足夠的散熱措施以維持穩(wěn)定工作溫度。此外，在選擇驅動電阻時需平衡開關速度與EMI性能之間的關系。請注意具體使用時應參考官方數據手冊獲取完整信息并進行充分驗證。

NJVMJB41CT4G 規(guī)格參數

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.5V @ 600mA，6A
電流 - 集電極截止（最大）
700µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
15 @ 3A，4V
功率 - 最大
2W
頻率 - 轉換
3MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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