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NJV4031NT3G

更新時間:2025-05-29 12:16:11

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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芯德微聯（深圳）電子有限公司
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NJV4031NT3G 概述

NJV4031NT3G是安森美半導體生產的一款雙N溝道MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于各種功率管理應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V，連續(xù)漏極電流(ID)可達3.6A（在25°C條件下）。由于其緊湊的封裝尺寸和良好的電氣性能，它常被用于DC-DC轉換器、負載開關、電池充電保護電路以及便攜式設備中的電源管理模塊。在實際應用中，應確保柵極驅動電壓足夠以保證MOSFET處于完全導通狀態(tài)，并注意散熱設計以防止過熱導致性能下降或損壞。

NJV4031NT3G 規(guī)格參數

現有數量
3,990現貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
3 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
40 V
不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）
300mV @ 300mA，3A
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）
200 @ 1A，1V
功率 - 最大值
2 W
頻率 - 躍遷
215MHz
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝
SOT-223（TO-261）

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廣東微爾科技有限公司

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