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NGTG35N65FL2WG

更新時間:2025-05-17 02:25:17

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NGTG35N65FL2WG 概述

NGTG35N65FL2WG是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的高性能IGBT器件。該IGBT采用場截止溝槽技術(shù)，具有低導通壓降和開關(guān)損耗特性。其最大集電極-發(fā)射極電壓為650V，適用于高頻開關(guān)應用場合。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、焊接設(shè)備以及感應加熱等工業(yè)領(lǐng)域。在這些應用中，它能夠有效提高系統(tǒng)效率并減少熱耗散。使用時需注意適當?shù)纳嵩O(shè)計以確?？煽抗ぷ?，推薦采用高效的散熱器或冷卻系統(tǒng)。電路設(shè)計上要合理配置柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關(guān)性能，避免過沖和振鈴現(xiàn)象。此外，在PCB布局時應盡量縮短引線長度以減小寄生電感影響。

NGTG35N65FL2WG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
83現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
IGBT 類型
場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
70 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
120 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，35A
功率 - 最大值
300 W
開關(guān)能量
840μJ（開），280μJ（關(guān)）
輸入類型
標準
柵極電荷
125 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
72ns/132ns
測試條件
400V，35A，10 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
-
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

NGTG35N65FL2WG推薦型號

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NGTG15N60S1
NGTG30N60FLWG
NUP2105LT1G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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