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NDS8947

更新時間:2025-07-04 00:11:52

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NDS8947外觀圖

NDS8947

Fairchild Semiconductor FET - 陣列

MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NDS8947 概述

NDS8947是安森美半導體(On Semiconductor)生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于便攜式設備、負載開關、電池保護電路等場景。其工作電壓范圍為-20V至20V，典型應用包括智能手機、平板電腦等消費電子產(chǎn)品中的電源管理部分。在實際應用中，NDS8947通常用于需要高效功率控制的場合。例如，在電池供電設備中，它可以作為理想的選擇來實現(xiàn)精確的電源切換和負載管理。設計時應注意正確選擇柵極驅動電壓，確保MOSFET處于完全導通狀態(tài)以降低損耗。此外，在PCB布局上應盡量縮短源極與漏極之間的走線長度，減少寄生電感影響，提高整體電路性能。

NDS8947 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
690pF @ 15V
功率 - 最大
900mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NDS8947TR

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