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NDF04N60ZH

更新時間:2025-05-25 05:46:37

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NDF04N60ZH外觀圖

NDF04N60ZH

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N CH 600V 4.8A TO220FP

封裝:TO-220-3 整包

NDF04N60ZH 概述

NDF04N60ZH是由知名品牌生產(chǎn)的MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點。其最大漏源電壓為600V，適合于高壓應用場合。在電路中主要用于電源管理、逆變器以及各類開關(guān)電源的設(shè)計。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、高頻焊接設(shè)備等。在實際使用時，需注意其最大工作電流和功率耗散限制以確保穩(wěn)定運行。對于電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計，應合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)特性并減少電磁干擾。

NDF04N60ZH 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 歐姆 @ 2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
640pF @ 25V
功率 - 最大
30W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

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