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NDF02N60ZH

更新時間:2025-05-17 14:41:08

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NDF02N60ZH外觀圖

NDF02N60ZH

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N CH 600V 2.4A TO220FP

封裝:TO-220-3 整包

NDF02N60ZH 概述

NDF02N60ZH是由知名半導體制造商生產(chǎn)的一款高壓MOSFET。它屬于N溝道增強型場效應晶體管，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。該器件的最大漏源電壓為600V，可承受較大電壓應力，在電源管理、電機驅(qū)動以及工業(yè)控制等領域有廣泛應用。例如在開關電源中作為功率開關使用，有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。在電機驅(qū)動應用里，能有效減少能耗且提升系統(tǒng)整體性能。設計電路時需注意其柵極驅(qū)動電壓范圍，并確保散熱良好以維持穩(wěn)定工作溫度。

NDF02N60ZH 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.8 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
325pF @ 25V
功率 - 最大
24W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

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NCP1117ST33T3G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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