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NCV33152DR2G

更新時間:2025-07-03 13:03:01

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NCV33152DR2G外觀圖

NCV33152DR2G

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)

IC MOSFET DRVR DUAL HS 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NCV33152DR2G 概述

NCV33152DR2G是安森美半導體生產(chǎn)的一款高性能雙路N溝道MOSFET驅(qū)動器。它專為汽車應用設計，能夠提供高效可靠的開關(guān)控制。該器件支持高達4.5A的峰值輸出電流，可驅(qū)動大功率MOSFET或IGBT。其輸入電壓范圍為10V至20V，適用于12V和24V汽車電氣系統(tǒng)。該芯片具有快速開關(guān)特性，傳播延遲時間短，可以實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。內(nèi)置的欠壓鎖定(UVLO)功能確保在電源電壓不足時不會錯誤觸發(fā)MOSFET。此外，NCV33152DR2G還具備過溫保護功能，增強了系統(tǒng)的可靠性。典型應用場景包括電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)、燃油噴射系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等汽車電子控制系統(tǒng)。在實際應用中，建議配合低柵極電荷的MOSFET使用，以進一步提高開關(guān)效率。電路設計時應注意適當?shù)娜ヱ铍娙莶季?，以減少噪聲干擾并保證穩(wěn)定工作。

NCV33152DR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān)
系列
-
配置
低端
輸入類型
非反相
延遲時間
55ns
電流 - 峰
1.5A
配置數(shù)
2
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
-
電源電壓
6.5 V ~ 18 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NCV33152DR2G-NDNCV33152DR2GOSTR

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