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NCP5111DR2G

更新時間:2025-06-13 21:58:27

供應商
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NCP5111DR2G外觀圖

NCP5111DR2G

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關

IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NCP5111DR2G 概述

NCP5111DR2G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款高性能雙通道柵極驅(qū)動器，專為高效電源轉(zhuǎn)換應用設計。該器件能驅(qū)動兩個獨立的N溝道MOSFET，適用于同步降壓、升壓及半橋拓撲結(jié)構(gòu)等DC-DC轉(zhuǎn)換器。其內(nèi)部集成自舉二極管，簡化了電路設計并減少了外部元件數(shù)量。NCP5111DR2G具備快速傳播延遲匹配特性，有助于提高效率和減少損耗，工作電壓范圍為4.5V至18V，可適應多種輸入電壓需求。在應用場景方面，廣泛應用于通信設備、工業(yè)自動化、服務器電源等領域。使用時應注意電源去耦電容的選擇以確保穩(wěn)定工作，推薦采用低ESR陶瓷電容靠近芯片電源引腳放置。對于高噪聲環(huán)境，建議增加額外濾波措施。

NCP5111DR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關
系列
-
配置
半橋
輸入類型
非反相
延遲時間
750ns
電流 - 峰
250mA
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
600V
電源電壓
10 V ~ 20 V
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NCP5111DR2G-NDNCP5111DR2GOSTR

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