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NCP5109BDR2G

更新時間:2025-06-10 14:38:39

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NCP5109BDR2G 概述

NCP5109BDR2G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款高性能半橋驅(qū)動器，專為高頻開關電源應用設計。該器件能夠驅(qū)動MOSFET或IGBT功率開關，適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。其內(nèi)部集成了高低側(cè)驅(qū)動電路，可提供高達3A的峰值輸出電流，支持從5.5V到35V的寬輸入電壓范圍。此芯片采用SOIC-8封裝，具有低傳輸延遲和高抗噪性能，有助于提高系統(tǒng)效率和可靠性。內(nèi)置的自舉二極管簡化了外圍電路設計，減少了外部元件數(shù)量。在電機驅(qū)動、不間斷電源(UPS)以及太陽能逆變器等應用場景中表現(xiàn)出色。使用時需注意合理布局以減小寄生電感影響，并根據(jù)具體需求選擇適當?shù)臇艠O電阻值來優(yōu)化開關速度。

NCP5109BDR2G 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
3,883現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
Digi-Key Programmable
Not Verified
驅(qū)動配置
半橋
通道類型
獨立式
驅(qū)動器數(shù)
2
柵極類型
IGBT，N 溝道 MOSFET
電壓 - 供電
10V ~ 20V
邏輯電壓?- VIL，VIH
0.8V，2.3V
電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）
250mA，500mA
輸入類型
非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）
200 V
上升/下降時間（典型值）
85ns，35ns
工作溫度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝
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