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NAND01GW3B2CN6E

更新時間:2025-07-05 01:15:22

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NAND01GW3B2CN6E外觀圖

NAND01GW3B2CN6E

Micron Technology Inc 存儲器

IC FLASH 1GBIT 48TSOP

封裝:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

NAND01GW3B2CN6E 概述

NAND01GW3B2CN6E是一款由Micron美光科技生產(chǎn)的1Gb容量的NAND Flash存儲芯片。它采用TSOP封裝，具有較高的集成度和可靠的性能。該芯片主要應用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲的設備中，如固態(tài)硬盤、嵌入式系統(tǒng)、數(shù)字消費產(chǎn)品等。在嵌入式系統(tǒng)中，它可以用來存儲操作系統(tǒng)、應用程序和用戶數(shù)據(jù)。使用時需注意電源電壓要穩(wěn)定在指定范圍內(nèi)以確保數(shù)據(jù)完整性。設計電路時應考慮適當?shù)娜ヱ铍娙菘拷娫匆_放置以減少噪聲干擾。對于寫操作頻繁的應用場景，要合理管理擦寫次數(shù)以延長使用壽命。

NAND01GW3B2CN6E 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
576
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
閃存
存儲器類型
閃存 - NAND
存儲容量
1G（128M x 8）
速度
-
接口
并聯(lián)
電源電壓
2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商設備封裝
48-TSOP（12x20）
包裝
托盤

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