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NAND01GR3B2CZA6E

更新時間:2025-07-13 03:18:12

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NAND01GR3B2CZA6E外觀圖

NAND01GR3B2CZA6E

Micron Technology Inc 存儲器

IC FLASH 1GBIT 63VFBGA

封裝:63-TFBGA

NAND01GR3B2CZA6E 概述

NAND01GR3B2CZA6E是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款串行EEPROM存儲器。該芯片采用I2C接口，具有1Mb（128K x 8位）的存儲容量，工作電壓范圍為1.8V到5.5V，適用于需要非易失性存儲的應用場景。其封裝形式為SO8窄體封裝，適合空間受限的設計。典型應用包括消費類電子、工業(yè)控制設備以及通信系統(tǒng)中用于存儲配置數(shù)據(jù)或參數(shù)。在電路設計時，需注意上拉電阻的選擇以確保I2C信號完整性，推薦值通常在1kΩ到10kΩ之間。此外，由于其低功耗特性，在電池供電設備中也有廣泛應用。

NAND01GR3B2CZA6E 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,260
類別
集成電路 (IC)
家庭
存儲器
系列
-
格式 - 存儲器
閃存
存儲器類型
閃存 - NAND
存儲容量
1G（128M x 8）
速度
-
接口
并聯(lián)
電源電壓
1.7 V ~ 1.95 V
工作溫度
-40°C ~ 85°C
封裝/外殼
63-TFBGA
供應商設備封裝
63-VFBGA（9.5x12）
包裝
托盤

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NAND01GR3B2CZA6E
NAND FLASH
NAND016R3B2CZA6
NAND01G
NAND01GR3B2BZA6E
NAND01GR3B2BZA6F
NAND01GR3B2CZA6
NJW0281G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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