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MUN2211T3G

更新時間:2025-07-09 11:35:56

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MUN2211T3G外觀圖

MUN2211T3G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

TRANS BRT NPN 100MA 50V SC-59

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MUN2211T3G 概述

MUN2211T3G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款雙NPN/PNP小信號晶體管對。此款產品采用SOT-23封裝，適合表面貼裝工藝，節(jié)省PCB空間。它具有低噪聲特性，適用于音頻放大、模擬開關和信號處理等對噪聲敏感的應用場景。在無線通信設備、消費類電子產品如耳機放大器、便攜式音頻設備中廣泛使用。由于其匹配良好的兩個晶體管，在差分放大器設計中也表現出色。電路設計時需注意保證基極偏置電流適當以避免飽和或截止狀態(tài)的誤觸發(fā)，同時考慮散熱問題，確保工作溫度范圍在規(guī)定值內。

MUN2211T3G 規(guī)格參數

標準包裝
10,000
類別
分離式半導體產品
家庭
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
10k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
10k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
35 @ 5mA，10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
50nA
頻率 - 轉換
-
功率 - 最大
338mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SC-59
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MUN2211T3G-NDMUN2211T3GOSTR

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MUN2113LT1
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MJD122

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