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MUN2211T1G

更新時間:2025-07-04 10:29:07

供應商
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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市芯福林電子科技有限公司
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深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市正納電子有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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MUN2211T1G外觀圖

MUN2211T1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式

TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MUN2211T1G 概述

MUN2211T1G是一款由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的單片集成雙極晶體管。該芯片采用SOT-23封裝，體積小巧，適合空間受限的應用環(huán)境。基礎(chǔ)描述方面，它包含一個NPN和一個PNP晶體管，具有互補的特性。這種結(jié)構(gòu)使得它可以方便地構(gòu)建各種推挽式電路和電平轉(zhuǎn)換電路。其內(nèi)部集成了基極電阻，簡化了外圍電路設(shè)計，減少了元件數(shù)量。典型應用場景包括信號放大、開關(guān)控制、接口驅(qū)動等。在消費電子領(lǐng)域常用于音頻信號處理；在工業(yè)控制中可用于繼電器驅(qū)動；還可作為通用數(shù)字開關(guān)使用。由于其簡單易用且性能可靠，廣泛應用于各類便攜式電子產(chǎn)品和通信設(shè)備中。在實際應用中應注意：需保證電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)，避免過壓損壞器件；對于高頻應用要合理布局PCB，減少寄生參數(shù)影響。建議根據(jù)具體需求選擇合適的偏置電阻，以獲得最佳工作狀態(tài)。

MUN2211T1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
NPN - 預偏壓
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
10k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
10k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
35 @ 5mA，10V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
500nA
頻率 - 轉(zhuǎn)換
-
功率 - 最大
338mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設(shè)備封裝
SC-59
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MUN2211T1GOSMUN2211T1GOS-NDMUN2211T1GOSTR

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MUN2211T1G
MUN2111
MUN2111T1
MUN2111T1G
MUN2112T1
MUN2113LT1
MUN2114T1
MJ11032

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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