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MTW32N20E

更新時間:2025-06-11 10:19:27

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MTW32N20E外觀圖

MTW32N20E

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 200V 32A TO-247

封裝:TO-247-3

MTW32N20E 概述

MTW32N20E是由MOSPEC公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏極-源極電壓（VDSS）為200V，連續(xù)漏極電流（ID）可達32A，適合在高壓高頻環(huán)境中使用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器、電機驅動以及各種工業(yè)控制設備中的電源開關電路。在實際應用中，為了確保穩(wěn)定工作，需注意散熱設計，可添加適當的散熱器以提高可靠性。同時，在進行PCB布局時，盡量縮短柵極引線長度以減少寄生電感影響。對于驅動電路的設計，建議選擇合適的柵極電阻來優(yōu)化開關速度與EMI性能之間的平衡。

MTW32N20E 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5000pF @ 25V
功率 - 最大
180W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件
其它名稱
MTW32N20EOS

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