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MTP6P20E

更新時間:2025-07-05 04:25:16

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廠商
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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25000
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MTP6P20E外觀圖

MTP6P20E

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB

封裝:TO-220-3

MTP6P20E 概述

MTP6P20E是來自無錫新潔能股份有限公司的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽工藝制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其典型應用包括直流-直流轉換器、電源管理模塊以及電機驅動等需要高效電能轉換的場合。在電源系統(tǒng)中，它能夠有效降低能量損耗并提高整體效率。使用時需注意其最大漏源電壓為200V，確保電路設計在安全工作范圍內。對于電機驅動應用，應仔細考慮柵極驅動電路的設計以實現最佳性能。

MTP6P20E 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1 歐姆 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
MTP6P20EOS

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廣東微爾科技有限公司

MTP6P20E推薦型號

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MTP60N06
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MTP6N60A
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MOC3021

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