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MTP2P50EG

更新時間:2025-05-18 11:06:44

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市誠研翔科技有限公司
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MTP2P50EG外觀圖

MTP2P50EG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 500V 2A TO220AB

封裝:TO-220-3

MTP2P50EG 概述

MTP2P50EG是由MPS（Monolithic Power Systems）公司生產(chǎn)的功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓為50V，適合在中低壓應(yīng)用場景中使用。典型的應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)以及電機(jī)驅(qū)動等。在實(shí)際應(yīng)用中，為了確保最佳性能，需注意PCB布局設(shè)計以降低寄生電感和電阻的影響。此外，在高頻率開關(guān)應(yīng)用中，合理選擇柵極電阻值對減小EMI干擾至關(guān)重要。例如，在一個同步降壓轉(zhuǎn)換器電路中，MTP2P50EG可作為低邊或高邊MOSFET，根據(jù)具體需求進(jìn)行配置。在選擇驅(qū)動電路時，要保證足夠的驅(qū)動能力以實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)，從而提高整體效率。

MTP2P50EG 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1183pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
MTP2P50EGOS

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