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MTP10N10EL

更新時間:2025-07-05 15:28:41

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MTP10N10EL 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
100 V
閘/源擊穿電壓
+/- 15 V
漏極連續(xù)電流
10 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.22 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Tube
下降時間
38 ns
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
7.9 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
40 W
上升時間
74 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關閉延遲時間
17 ns

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