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MTB30P06VT4

更新時間:2025-07-13 09:47:32

供應商
產品型號
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數(shù)量
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封裝/批號
說明
詢價

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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳市金燦利電子科技有限公司
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一級代理進口原裝現(xiàn)貨、假一罰十價格合理

深圳市米數(shù)科技有限公司
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MTB30P06VT4外觀圖

MTB30P06VT4

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

MTB30P06VT4 概述

MTB30P06VT4是一款由Microchip Technology公司生產的功率MOSFET。它屬于N溝道增強型MOSFET，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。該器件的最大漏極 - 源極電壓（VDSS）為-60V，在25°C時連續(xù)漏極電流（ID）可達-30A。其柵極 - 源極電壓（VGS）范圍為±20V。MTB30P06VT4采用表面貼裝的D2PAK封裝形式，非常適合用于需要高效功率轉換的應用場景中，例如電機驅動、電源管理以及直流 - 直流轉換器等電路中。在使用時，要注意保證散熱良好，避免過高的結溫以確保器件長期穩(wěn)定工作。

MTB30P06VT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
80 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2190pF @ 25V
功率 - 最大
3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MTB30P06VT4OS

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