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MT49H32M18BM-18:B

更新時間:2025-07-23 16:03:34

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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艾潤（香港）電子有限公司
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MT49H32M18BM-18:B 概述

MT49H32M18BM-18:B是Micron Technology生產的一款高速CMOS SDRAM存儲器。該器件具有576Mb的存儲容量，組織形式為32M字×18位。它主要用于需要高數(shù)據傳輸速率和低功耗的應用場景，如網絡路由器、交換機等通信設備，以及工業(yè)控制和醫(yī)療成像系統(tǒng)。在應用方面，這款SDRAM適合用于構建大容量內存系統(tǒng)，在嵌入式計算機和服務器中作為主存使用。其18位的數(shù)據寬度允許實現(xiàn)更靈活的數(shù)據處理方案。建議在設計電路時，要確保電源和地線的良好去耦，以減少噪聲干擾并提高信號完整性。同時，由于其高速特性，PCB布局需特別注意信號走線長度匹配和阻抗控制，以滿足嚴格的時序要求。

MT49H32M18BM-18:B 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
散裝
產品狀態(tài)
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
DRAM
存儲容量
576Mb
存儲器組織
32M x 18
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
533 MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
15 ns
電壓 - 供電
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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